重點引進方向
1. 微納材料方向：半導體納米結構、氣體分離和提純、材料物性表征及結構分析；
2. 晶體生長方向：薄膜淀積、氣氛外延、晶體生長模擬及相關理論計算；
3. 量子信息方向：微納結構制備、硅基量子信息理論和模型、自旋相關壽命檢測；

1. 近三年內(nèi)獲得材料、化學、物理等相關專業(yè)博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；
2. 保證全職從事博士后研究工作；
3. 具有相關學科背景和科研經(jīng)驗，近三年內(nèi)以第一作者或通訊作者發(fā)表 2 篇及以上高質量研究論文或專利；從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；
4. 具有較強的獨立工作能力和良好的團隊合作意識；

申請材料
1. 個人簡歷；
2. 表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3. 博士學位論文。

待遇及保障條件
1. 根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；
2. 對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應配套資助；
3. 共享浙江大學實驗與科研條件；
4. 協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房（以杭州市E類人才標準申請：50和70平可選，租金約42元/平）；
5. 工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學者”崗位或技術開發(fā)崗位；
6. 在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關系列高級專業(yè)技術職務；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
7. 工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，優(yōu)先推薦申請“青年人才卓越計劃”和“科創(chuàng)百人計劃”等獨立研究員位置，具有獨立博士招生資格和啟動資金100-500萬元。

工作及出站要求
1.出站要求：（后兩項擇一即可）；
（1）在站期間在國內(nèi)外核心期刊發(fā)表與博士后研究課題相關的高水平論文1篇、
（2）申請與博士后研究課題相關的發(fā)明專利2項或實用新型專利2項（以上均為前3位完成人）；
（3）取得與博士后研究課題相關的授權發(fā)明專利1項或實用新型專利1項（以上均為前3位完成人）
2.在站期間鼓勵、協(xié)助申請國自然青年基金、博新計劃等項目（獲批后不需延期出站）；
3.提供自由、獨立科研環(huán)境，在PI指導下以合作形式開展有組織工作；
4.鼓勵并支持參加國內(nèi)外學術會議、訪問合作等；